AOK065V65X2_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為58mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關應用中表現出較低的導通損耗與開關損耗，同時具備良好的熱穩定性。適用于對效率、功率密度及動態響應有較高要求的電源轉換系統，可在高負載條件下維持穩定運行。
