IMZA65R083M1HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具備優異的高溫性能與開關特性，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升系統整體能效，適合用于對體積與熱管理有較高要求的電源模塊及高頻逆變結構中。
