SPA15N60CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達9A，導通電阻（RDS(on)）為320mΩ，柵源驅動電壓范圍（VGS）為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備較低的導通損耗與優異的高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及緊湊型電力電子設備，在高溫或高頻率工作條件下仍能保持穩定性能。
