FDP4D5N10C-HXY_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:4.1mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.1毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低的溫升。適用于對效率、熱管理和功率密度要求較高的電源轉換、電機驅動及大電流開關應用，能夠在高頻操作中保持穩定的電氣性能。
