IPW65R190CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有25A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及緊湊型電力電子設備。其寬柵壓范圍增強了與不同驅動電路的兼容性，并有助于提升系統運行的穩定性與可靠性。
