IMZA65R007M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:355A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備355A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為750V，導通電阻低至5mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與優異熱導率，在高功率密度和高頻開關應用中表現出極低的導通損耗與良好的熱穩定性。適用于對效率、體積和動態響應有嚴苛要求的電源系統及能量轉換裝置，其寬柵壓范圍也增強了與多種驅動電路的兼容性。
