SCT3022ALGC11-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關條件下展現出低導通損耗與快速開關響應，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換及高密度電力電子系統。
