R6524KNX3C16-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-10V至@5V范圍，具備良好的驅動兼容性與可靠性。基于碳化硅半導體材料，器件具備優異的高溫穩定性、高開關頻率特性和低反向恢復電荷，適用于高效率、高功率密度的電力轉換系統。典型應用涵蓋高壓DC-DC變換器、不間斷電源、光伏逆變裝置及高功率開關電源等場景。
