IPW65R190C7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為25A，漏源擊穿電壓為800V，導通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的適應性，同時支持在較高結溫下穩定運行，適合對體積與能效有較高要求的電力電子應用。
