XP65SL190DI_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備20A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為160mΩ，柵源驅動電壓范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉換系統，如開關電源、光伏逆變器及儲能設備等。其寬柵壓范圍提升了驅動兼容性，同時有助于簡化門極驅動電路設計。
