SPP15N65C3HKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:306mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、9A的連續漏極電流（ID）以及306mΩ的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換場合。其電氣參數支持在緊湊型設計中實現穩定可靠的運行。
