TK099V65Z,LQ_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為37A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和高頻開關特性，適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高頻電力電子設備。其低導通電阻有助于降低通態損耗，提升整體能效表現，同時支持高功率密度設計。
