PJQ4402P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。該器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源開關(guān)電路，例如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)中的功率路徑控制，以及需要頻繁開關(guān)操作的電子負載應(yīng)用，能夠提供穩(wěn)定可靠的電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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