GSFPB0976_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備75A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為100V，導(dǎo)通電阻低至7.3毫歐，在柵源電壓最高達(dá)20V的驅(qū)動(dòng)條件下可實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)操作。其低RDS(ON)有助于降低導(dǎo)通損耗，適用于高效率電源管理、電機(jī)控制、不間斷電源系統(tǒng)及各類(lèi)中高功率電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)與功率調(diào)節(jié)功能。器件在高頻工作狀態(tài)下仍能保持良好的性能穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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