AON7416_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有45A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升系統(tǒng)整體效率。適用于高電流、高頻率的開關(guān)應(yīng)用場景，如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動電路及高效能計(jì)算設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。器件在高負(fù)載條件下仍能保持良好的熱性能與電氣穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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