NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有130A的連續漏極電流（ID）、40V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.8毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于顯著減少導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。適用于高電流、高頻率運行的電源管理場景，例如多相穩壓器、電池管理系統中的功率開關、以及需要高效能與緊湊布局的電子設備中。在大電流負載條件下，器件仍能保持較低溫升，有利于優化熱設計。
