NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效，適用于高電流開關電源、電機控制、電池管理系統及各類高效功率轉換電路。其大電流承載能力與低阻特性使其在高頻、高效率應用場景中表現穩定可靠。
