BUK624R5-30C_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為3.8毫歐。在典型工作條件下，其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體效率。適用于高電流負載的電源管理、電機驅動以及高頻開關電路等應用場合。器件在保持高電流處理能力的同時，有助于優化熱性能與能效，適合對功率密度和可靠性有較高要求的電子系統設計。
