PJQ4408P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6毫歐的導通電阻（RDS(ON)），在柵源電壓（VGS）為20V時可實現穩定導通。其低導通電阻有助于減少導通損耗，適用于高效率電源管理、直流-直流轉換器及大電流開關應用。器件在高頻操作下仍能保持較低的溫升，適合對熱性能和空間布局有較高要求的電子系統。
