TSM085NB03CV RGG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備55A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.7毫歐，柵源電壓額定值為20V。其低RDS(ON)有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用中維持較低溫升。適用于高效率開關電源、多相穩壓模塊、計算設備主板供電以及便攜式電子產品的電源管理單元，能夠在高頻或持續大電流工況下提供穩定可靠的性能表現。
