NCEP40T15AGU_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為219A，漏源擊穿電壓（VDSS）為40V，導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，柵源電壓（VGS）額定值為±20V。憑借極低的導通電阻和高電流承載能力，該器件在大電流開關應用中可顯著降低功率損耗與溫升。適用于高效率電源系統、電機控制、電池管理及各類需要高密度功率處理的電子設備中，具備良好的熱穩定性和開關性能。
