SISA18BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統整體效率。30V的耐壓水平適用于多種中低壓電源架構，在開關電源、電池供電設備、電機控制及高效能電子負載等應用中，能夠實現穩定可靠的開關性能和良好的熱表現。
