SIS444DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為2.5毫歐。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高電流、低電壓的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)合，如服務(wù)器電源、通信設(shè)備供電系統(tǒng)及便攜式高功率電子裝置，在高頻開(kāi)關(guān)和大電流負(fù)載條件下仍能保持良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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