SIS778DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為4毫歐。其低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗，提升系統效率。適用于需要高效能開關操作的電源轉換、負載開關及同步整流等電路拓撲中，能夠在高頻或大電流應用場景下保持良好的熱穩定性和電氣性能。
