BSZ0994NSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐，在低電壓應用中可有效降低導通損耗。器件支持高效能電源路徑設計，適用于電池供電設備、便攜式電子產品、電機驅動及高頻開關電路等場景。其低阻抗特性有助于提升整體系統效率，并在有限空間內實現良好的熱性能與電氣穩定性。
