TSM060N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有40A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5毫歐。器件適用于高效率電源轉換和功率管理場景，其低RDS(ON)有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力和較低的熱阻特性，可穩定運行于頻繁開關或持續大電流的工作條件中，適合用于各類緊湊型電源模塊、便攜設備供電系統及高性能計算平臺的供電單元。
