BSC052N03LSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用中維持較高的能效水平。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池充放電控制等對效率和熱管理要求較高的電子系統(tǒng)，能夠在高頻開關條件下保持穩(wěn)定可靠的運行特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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