TSM061NA03CR RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7mΩ。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效降低傳導損耗，提升系統效率。適用于高功率密度的電源轉換、電機驅動、電池充放電控制以及高頻開關電路等應用，能夠在持續高負載或頻繁開關操作中保持良好的熱穩定性和電氣性能。
