NVMFS5C673NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流為65A，最大漏源電壓為60V，導通電阻為8毫歐，在柵源電壓達20V時可確保可靠工作。其較低的導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機控制及開關電源等應用場合，能夠在緊湊布局中實現良好的熱性能與電氣性能。
