MCAC9D5N06YLHE3-TP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有65A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有助于顯著減少導通損耗，提升整體能效，適用于對效率和熱管理要求較高的電源系統。典型應用場景包括高電流開關電源、直流-直流轉換模塊、電機控制電路及各類高效能電子設備中的功率開關環節。
