NVD4808NT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻為7毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景，能夠在緊湊設計中提供穩定的電氣性能和可靠的運行表現。
