SI7440DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至5.7毫歐。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性與電氣性能。適用于對(duì)功率密度和能效有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類開關(guān)電路中，能夠可靠支持頻繁開關(guān)操作與大電流傳輸需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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