RS1E170GNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電池供電系統(tǒng)及中低電壓開關應用。器件在大電流工作條件下仍能維持較低溫升，適合對熱性能和功率密度有較高需求的電路設計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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