RQ3E160ADTB1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐。憑借極低的導通損耗，該器件適用于高效率、大電流的電源轉換系統，如開關電源、電池供電設備及電機驅動等場景。其優異的導通特性和高電流承載能力有助于提升系統整體能效，并在高頻開關應用中保持穩定性能。
