DMT3009LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:ID:45A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:6mR 參數4:VGS:20V 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備45A的連續漏極電流能力,最大漏源電壓為30V,導通電阻低至6毫歐,柵源電壓額定值為20V。其低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗,有助于提升系統整體能效。器件適用于需要高效功率開關的場合,如電源轉換、負載控制及電池供電設備中的功率路徑管理,能夠在高頻率或大電流工作條件下保持穩定性能。
