AON7556_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為9mΩ，在標準工作條件下可有效控制導通損耗。適用于中等功率的電源管理、負載開關、電機驅動及高頻DC-DC轉換等電路場景，其電氣特性有助于維持系統運行的穩定性與效率，同時對熱設計提出較低要求。
