NTD4959NHT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流（ID）可達60A，導通電阻（RDS(ON)）典型值為7毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于高效電源轉換、大功率負載開關以及對能效和緊湊布局有較高要求的電子系統中，能夠支持穩定的高頻開關操作。
