IRF8113GTRPBF-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備18A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）最高可達(dá)20V。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高電流、高頻率的開關(guān)應(yīng)用場景。其電氣特性適合用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、便攜式設(shè)備供電以及各類需要高效能功率控制的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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