ISZ056N03LF2SATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備55A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源驅動電壓（VGS）。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，同時30V的耐壓等級適配多種中低壓應用場景。該器件適用于開關電源、便攜式儲能設備、電機驅動及各類高效率功率轉換系統，能夠在高頻開關條件下保持良好的熱穩定性和電氣性能。
