IRFH7190TRPBF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。其低導通電阻有效降低導通損耗，提升系統效率，適用于高電流、高頻率運行的電源轉換、電機驅動及高效能電力電子設備中。器件在大電流負載下仍能保持良好的熱穩定性和開關性能，滿足對功率密度與可靠性要求較高的應用場景。
