IPD075N03LGBTMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換、電機驅動、電池充放電控制及大電流開關電路等應用。器件在高電流負載下仍能維持較低溫升，具備良好的熱穩定性和可靠的開關特性，適合對功率密度和能效有較高要求的電子系統。
