IRFH5304TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:90A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有90A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)可實(shí)現(xiàn)高效導(dǎo)通。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)能效，適用于對(duì)電流承載能力和開關(guān)效率要求較高的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高密度功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了熱性能與電氣特性，適合在高頻開關(guān)條件下穩(wěn)定工作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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