IRFH8325TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至4.3毫歐。其極低的導通電阻有效減小了導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源管理、大電流開關及電機驅動等應用。器件具備良好的熱穩定性和快速開關特性，適合在緊湊型、高功率密度的電子系統中使用。
