MCAC68N03Y-TP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、4.7毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。低RDS(ON)有助于在大電流工作時減少功率損耗，提升系統效率。器件適用于中低壓電源架構中的高效開關應用，可在頻繁開關操作中保持較低的溫升，適合對電氣性能和熱穩定性要求較高的功率控制場景。
