FDD068AN03L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效，適用于高電流開關電源、電池管理系統、電動工具驅動以及各類高效DC-DC轉換電路。其優異的電流承載能力和熱穩定性，使其在頻繁開關或持續高負載運行條件下仍能保持可靠性能。
