BSC097N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有65A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為8毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效抑制功率損耗與溫升，適用于高效率電源管理、電機控制及高頻開關應用。器件結構支持穩定可靠的開關性能，適合對能效和熱管理有較高要求的電子系統。
