ISC052N03LF2SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.3毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，適用于高效率、大電流的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場合。器件在高負載條件下仍能保持良好的熱性能和穩定性，適合對能效和空間布局有較高要求的電子系統。
