MCAC9D5N06YL-TP_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有65A的連續漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）、8mΩ的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其極低的導通電阻顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下仍能維持較高的效率和較低的溫升。適用于高功率密度的直流-直流轉換器、電源管理模塊、電機驅動電路及高性能計算設備中的負載開關等應用，能夠滿足對電氣性能和熱穩定性要求嚴苛的電子系統設計需求。
