RQ3E180BNTB_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.9毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對電流承載能力和功率密度要求較高的電源管理場景。器件采用標準封裝形式，便于在高頻率開關應用中實現穩定可靠的性能表現，可廣泛用于各類電子設備中的功率轉換與控制電路。
