DMN39M1LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。器件適用于高電流、低電壓的開關應用場景，如電源轉換模塊、電機驅動電路及便攜式設備中的高效功率管理單元，在需要頻繁開關操作和緊湊布局的設計中表現穩定可靠。
